Wyzwaniem dla produkcji urządzeń opartych na grafenie jest jego powierzchniowa modyfikacja, polegająca na nałożeniu wysokiej jakości ultra-cienkich warstw materiałów o określonych funkcjach. Technologia osadzania warstw atomowych (ALD) odpowiada tym potrzebom umożliwiając nakładanie cienkich, konforemnych warstw z kontrolą przyrostu do grubości pojedynczych atomów.
Poniższe publikacje przedstawiają przykłady modyfikacji grafenu w reaktorach Picosun

1. Zhou, P. et al. Direct deposition of uniform high-κ dielectrics on graphene. Sci. Rep. 4, 6448 (2014).

2. Cao, Y. Q., Cao, Z. Y., Li, X., Wu, D. & Li, A. D. A facile way to deposit conformal Al2O3 thin film on pristine graphene by atomic layer deposition. Appl. Surf. Sci. 291, 78–82 (2014).

3. Yu, M; Ma, J; Song, H; Wang, A; Tian, F; Wang, Y; Qiu, H; Wang, R. Atomic layer deposited TiO2 on nitrogen-doped graphene/sulfur electrode for high performance lithium-sulfur battery. Optoelectron. Adv. Mater. Rapid Commun. 4, 1166–1169 (2010).

4. Dahal, A. et al. Seeding atomic layer deposition of alumina on graphene with yttria. ACS Appl. Mater. Interfaces 7, 2082–2087 (2015).

5. Beechem, T. E. et al. Self-Heating and Failure in Scalable Graphene Devices. Sci. Rep. 27 (2016). doi:10.1038/srep26457

 

Zapraszamy do kontaktu: info@devmatech.pl