Reaktor ALD Picosun R-series

Reaktor do osadzania warstw atomowych ALD serii R zoptymalizowany jest do prowadzenia badań, rozwoju produktu oraz produkcji pilotażowej na podłożach płaskich, obiektach 3D, proszkach oraz foliach.

Wszechstronnie zaprojektowane reaktory ALD do osadzania warstw atomowych umożliwiają nanoszenie jednorodnych cienkich warstw na podłożach o wymiarach 2-8” (50-200 mm), obiektach przestrzennych 3D oraz materiałach porowatych o wysokim aspect ratio, a także na cząstkach o rozmiarach nanometrycznych w jednej tej samej uniwersalnej komorze reakcyjnej. Reaktor posiada możliwość rozbudowy o takie podzespoły jak: dodatkowe źródła prekursorów, komorę loadlock, komorę roll to roll, automatyczny system załadunku podłóż, system dostarczania ozonu, wysokiej mocy źródło plazmy ICP oraz inne wymagane elementy przez użytkownika.

Podstawowe cechy reaktorów ALD Picosun R-series:

  • Reaktor ALD R-200 Standard dedykowany jest do prowadzenia podstawowych badań nie wymagających użycia plazmy oraz z wykorzystaniem ograniczonej ilości prekursorów w poszczególnych procesach.
  • Reaktor ALD R-200 Advanced rekomendowany do bardziej zaawansowanych badań ALD pozwalający na zastosowania większej ilości źródeł prekursorów, a także umożliwia prowadzenie procesów wspomaganych plazmą.
  • Maksymalna wielkość podłóż 200mm dla pojedynczych podłoży oraz 150mm dla procesów prowadzonych w seriach podłóż
  • Mała wymagana powierzchnia do instalacji, możliwość integracji z glovebox, UHV, jaki i w systemie klastrowym
  • Łatwa obsługa z wykorzystaniem panela dotykowego PC
  • Konstrukcja reaktora gwarantująca pełną kontrolę procesu, brak generacji cząstek (zanieczyszczeń) podczas nakładania warstw atomowych, możliwość prowadzenia procesów wspomaganych plazmą oraz termalnych w tej samej komorze reakcyjnej, łatwość wymiany i czyszczenia komór reakcyjnych oraz wysoką niezawodność systemu
Przykładowe wyniki uzyskane przez użytkowników systemów ALD firmy Picosun z serii R-series.
Materiał Niejednorodność grubości (1 sigma)
AI2O3 (batch) 0.13 %
SiO2 (batch) 0.77 %
TiO2 0.28 %
ZnO 0.94 %
Ta2O5 1.0 %
HfO2 0.47 %
Pt 3.41 %
TiN 1.10 %
PEALD Al2O3 0.50 %
PEALD AlN 0.62 %
PEALD SiO2 (low-T) 1.10 %
PEALD TiN 2.16 %
PEALD TiAlN 2.87 %
PEALD In2O3 0.87 %
PEALD ZnO 2.64 %
AI2O3 (batch) 0.13 %
SiO2 (batch) 0.77 %
TiO2 0.28 %

Dostępne modele reaktorów ALD

PICOSUN™ R-200 Standard
PICOSUN™ R-200 Advanced

PICOSUN™ R-200 Standard
Cecha Opis
Rodzaj i rozmiar podłoża 50 – 200 mm pojedyncze podłoże
Podłoże max. 150 mm w serii po 5-15 szt. (zależ-nie od procesu)
156 mm x 156 mm solar Si wafers
Obiekty 3D
Proszki i cząstki
Materiały porowate, próbki o wysokim HAR
Temperatura procesu 50 – 500 °C, wyższa na żądanie
Opcje załadunku podłoża Winda pneumatyczna(manualne ładowanie)
Load lock z ramieniem
Prekursory Ciekłe, stałe, gaz, ozon
Do 6 źródeł z 4 oddzielnymi wlotami
Waga 350 kg
Wymiary (W x H x D) Zależnie od opcji
Minimum 146 cm x 146 cm x 84 cm
Maksimum 189 cm x 206 cm x 111 cm
Opcje PICOFLOW™ diffusion enhancer, zintegrowany elipsometer, QCM, RGA, generator azotu, neutralizator gazów poprocesowych, indywidualny projekt, glove box do załadunku inertnego
Testy akceptacyjne Standardowe kryteria akceptacyjne dla procesu Al2O3
PICOSUN™ R-200 Standard
Cecha Opis
Rodzaj i rozmiar podłoża 50 – 200 mm pojedyncze podłoże
Podłoże max. 150 mm w serii po 5-15 szt. (zależ-nie od procesu)
156 mm x 156 mm solar Si wafers
Obiekty 3D
Roll-to-roll, maksymalna szerokość 70 mm
Proszki i cząstki
Materiały porowate, próbki o wysokim HAR
Temperatura procesu 50 – 500 °C, wyższa na żądanie
Opcje załadunku podłoża Winda pneumatyczna(manualne ładowanie)
Load lock z ramieniem
Półautomatyczne ładowanie z robotem
Załadunek kaseta – do – kasety z klastrową plat-formą załadunkową
Prekursory Ciekłe, stałe, gaz, ozon, plazma
Do 12 źródeł z 6 oddzielnymi wlotami
Waga 350 + 200 kg
Wymiary (W x H x D) Zależnie od opcji
Minimum 146 cm x 146 cm x 84 cm
Maksimum 189 cm x 206 cm x 111 cm
Opcje Platforma klastrowa, PICOFLOW™ diffusion en-hancer, zintegrowany elipsometer, QCM, RGA, generator azotu, neutralizator gazów poproceso-wych, indywidualny projekt, glove box do zała-dunku inertnego
Testy akceptacyjne Standardowe kryteria akceptacyjne dla procesu Al2O3

Źródło plazmy PICOPLASMA™

Zaawansowane odległe źródło plazmy ICP o wysokiej mocy 3000W oraz kontrolowanej częstotliwości 1.7-3 MHz zapewniające wytwarzanie plazmy rodnikowej wolnej od jonów (ion-free). Zastosowanie źródła Picoplasma umożliwia prowadzenie efektywnych procesów osadzania warstw metalicznych oraz azotków metali wspomaganych plazmą bez ryzyka spięć oraz możliwość stosowania delikatnych podłoży bez ryzyka uszkodzenia. Konstrukcja systemu zapewnia:

  • brak konieczności czyszczenia generatora plazmy po procesach ALD dzięki uniemożliwieniu wstecznej dyfuzji gazów procesowych (przepływ gazu ochronnego)
  • możliwość uruchomienia przy ciśnieniach roboczych (brak generacji cząstek)
  • konstrukcja umożliwia prowadzenie procesów termalnych oraz plazmowych w ramach jednego procesu bez konieczności mechanicznych

Systemy do nanoszenia warstw na cząstki POCA™ i PICOVIBE™

POCA™ i PICOVIBE™
Systemy ALD Picosun z serii R mogą być wyposażone w rozwiązanie typu POCA™ 200 zwiększające wszechstronność reaktora o możliwość nanoszenia warstw atomowych na cząstki. Dla wymagających aplikacji dostępny jest także system PICOVIBE™ zwiększający efektywność procesu poprzez polepszenie dystrybucji par prekursora w całej objętości prób-ki. W efekcie umożliwia naniesienie jednolitej warstwy na każdej cząstce.

Glove box

Wszystkie urządzenia ALD firmy Picosun Oy mogą być zintegrowane z komorą rękawicową „Glove box” umożliwiając bezpieczne obchodzenie się z podłożami wrażliwymi na tlen oraz wodę. Jest to możliwe zarówno w przypadku systemów wyposażonych w system załadun-kowy typu load lock oraz systemów ze standardową windą.

PICOFLOW™ diffusion enhancer

System wspomagający nanoszenie warstw na próbkach w których pory posiadają duży sto-sunek wymiarów wysokości do szerokości (high aspect ratio), próbkach proszkowych, czy też skomplikowanych nanostrukturach. System PICOFLOW™ diffusion enhancer dostępny jest dla wszystkich urządzeń ALD produkowanych przez Picosun Oy.

Pytanie o produkt

W razie pytań lub wątpliwości prosimy o kierowanie ich do nas za pośrednictwem tego formularza

  • 6 + 83 =