atomic layer deposition osadzanie warstw atomowych ALD

P-300S

Przemysłowy reaktor ALD

Przemysłowy reaktor ALD do podłoży o średnicy 300 mm do produkcji półprzewodnikowej

System PICOSUN® P-300S ALD jest specjalnie zaprojektowany do produkcji elementów układów scalonych, mikroprocesorów, pamięci, dysków twardych i MEMS

GŁÓWNE CECHY:

  • Niezależne wloty prekursorów do komory
  • Uniwersalna komora do wszystkich rodzajów podłoży
  • Jednorodna temperatura w całej objętości komory reakcyjnej

TYPOWE PODŁOŻA:

  • Pojedyncze podłoża o średnicy 300mm
  • Podłoża porowate, na wskroś porowate i podłoża o wysokim współczynniku HAR  (do 1:2500)

TEMPERATURA PROCESU

50 – 500°C

TYPOWE PROCESY

  • Procesy produkcyjne z czasem cyklu poniżej 10 sekund
  • Niejednorodność warstw pomiędzy podłożami w serii <1% 1σ (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49 pkt, 5mm EE)
  • Tlenki: Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2,
  • Azotki: TiN, AlN
  • Metale: Pt, Ir, Ru

ZAŁADUNEK PODŁOŻY

  • Komora załadowcza load-lock
  • Automatyczny system załadunku podłoży za pomocą próżniowego systemu klastrowego Picoplatform™ 200 lub Picoplatform™ 300
  • Załadunek typu kaseta do kasety
  • Załadunek w atmosferze N2

PREKURSORY

  • 12 linii prekursorowych (ciekłe, gazowe, stałe, ozon)
  • 6 niezależnych wlotów do komory
  • Czujnik poziomu prekursorów