CVD / PE-CVD FLARION

Systemy do osadzania z fazy gazowej (CVD)

Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD) to proces, w którym reakcje pomiędzy gazowymi prekursorami tworzą cząsteczki stałe, które osadzają się na powierzchni podłoża.

W procesie CVD wspomaganym plazmą (Plasma Enhanced CVD) plazma wzbudzając cząsteczki gazu tworzy aktywne rodniki, które reagując z prekursorami gazowymi  tworzą cząsteczki materiału osadzającego się na powierzchni podłoża.
Zaletą stosowania plazmy jest możliwość obniżenia temperatury procesu, a modulacja gęstości plazmy może być stosowana jako narzędzie do zmiany struktury osadzanego materiału.
Procesy oparte na CVD są procesami powlekania konforemnego i umożliwiają osadzanie na podłożach 3D

Przykładowe konfiguracje:

  • Reaktor typu parallel-plate, w którym podłoże stanowi część elektrody dolnej, natomiast napięcie RF podawane jest na elektrodę górną wytwarzając plazmę pojemnościową sprzężoną (CCP).
  • Reaktor z indukcyjnie sprzężoną plazmą (ICP) umożliwia generowanie plazmy o wyższej gęstości oraz niezależną kontrolę gęstości i energii.
  • Reaktor PECVD z mikrofalowym źródłem plazmy w szczególności przystosowany do syntezy zaawansowanych materiałów takich jak warstwy diamentowe